参数资料
型号: FQI4N80TU
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 欧姆 @ 1.95A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V
功率 - 最大: 3.13W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK
包装: 管件
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB4N80 / FQI4N80 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FQI4N90 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET
FQI4N90TU 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQI4P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQI4P40 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V P-Channel MOSFET
FQI4P40TU 功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube