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参数资料
| 型号： | FQP10N20CTSTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 4.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 72W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 4.75 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
10
10
10
2
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
10 ms
2
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
10
0
DC
DC
10 ms
100 ms
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
0
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
-1
0
1
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP10N20C
10
8
6
4
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF10N20C
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP10N20C / FQPF10N20C Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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