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参数资料
| 型号： | FQP13N10L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
Top :
V GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
10
5.0 V
4.5 V
1
10
1
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
175 ℃
10
0
25 ℃
-55 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1
-1
0
2
4 6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
0.8
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.6
0.4
V GS = 5V
V GS = 10V
1
10
0
0.2
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
1 0
20
3 0
4 0
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1000
800
600
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 80V
400
200
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 12.8A
10
10
10
-1
0
1
0
0
4
8
12
16
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP13N10L Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP13N10 | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
| FQP14N30 | MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220 |
| FQP16N25C | MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220 |
| FQP16N25 | MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 |
| FQP17N40 | MOSFET N-CH 400V 16A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP13N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP13N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP13N50C | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP13N50C_F105 | 制造商:Fairchild 功能描述:500V/13A N-CH MOSFET C-SERIES |
| FQP13N50CF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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