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参数资料
| 型号： | FQP17P06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 17A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
Top :
V GS
- 15.0 V
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
10
10
1
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
1
Bottom : - 4.5 V
175 ℃
10
10
0
0
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
0.36
0.32
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.28
0.24
0.20
V GS = - 10V
1
10
0.16
0.12
V GS = - 20V
0
0.08
0.04
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
20
40
60
80
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1800
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
1600
C rss = C gd
10
V DS = -30V
1400
1200
1000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
V DS = -48V
800
600
400
200
C rss
4
2
※ Note : I D = -17 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
4
8
12
16
20
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP17P06 Rev.C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP17P10 | MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220 |
| FQP19N20 | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220 |
| FQP20N06L | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220 |
| FQP20N06TSTU | MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP17P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| FQP17P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CH/60V/17A/0.12OHM |
| FQP17P06_Q | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP17P06TU | 制造商:Fairchild 功能描述:60V/17A P-CH MOSFET |
| FQP17P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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