收藏本站
参数资料
型号： FQP17P10
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 50
系列： QFET™
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 16.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 190 毫欧 @ 8.25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1100pF @ 25V
功率 - 最大： 100W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
?
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
?
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 ? A
I D = -250 ? A, Referenced to 25°C
V DS = -100 V, V GS = 0 V
V DS = -80 V, T C = 150°C
V GS = -30 V, V DS = 0 V
V GS = 30 V, V DS = 0 V
-100
--
--
--
--
--
--
-0.1
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V/°C
? A
? A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
?
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = -250 ? A
V GS = -10 V, I D = -8.25 A
V DS = -40 V, I D = -8.25 A
-2.0
--
--
--
0.14
9.9
-4.0
0.19
--
V
?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
?
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
850
310
100
1100
400
130
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -50 V, I D = -16.5 A,
R G = 25 ?
V DS = -80 V, I D = -16.5 A,
V GS = -10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
17
200
45
100
30
4.8
17
45
410
100
210
39
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
-16.5
-66
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = -16.5 A
V GS = 0 V, I S = -16.5 A,
dI F / dt = 100 A/ ? s
--
--
--
--
120
0.52
-4.0
--
--
V
ns
? C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 3.2mH, I AS = -16.5A, V DD = -25V, R G = 25 ??? Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ -16.5A, di/dt ≤ 300A/ ? s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP17P10 Rev.C0
2
ww.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FQP19N20 MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
FQP20N06L MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
FQP20N06TSTU MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
FQP22N30 MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
FQP24N08 MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
FQP17P10 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220
FQP18N20V2 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP18N50V2_Q 功能描述:MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*