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参数资料
型号： FQP17P10
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 7/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 50
系列： QFET™
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 16.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 190 毫欧 @ 8.25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1100pF @ 25V
功率 - 最大： 100W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
Package Dimensions
TO-220
Dimensions in Millimeters
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP17P10 Rev.C0
7
ww.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FQP22N30 MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
FQP24N08 MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
FQP17P10 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P, TO-220
FQP18N20V2 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP18N50V2_Q 功能描述:MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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