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参数资料
| 型号： | FQP33N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 127W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15.0 V
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
10
10
1
1
175 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
10
0.20
0.15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.10
0.05
V GS = 20V
1
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
10
0
20
40 60 80
I D , Drain Current [A]
100
120
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.2
1.4
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3000
2500
2000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 50V
V DS = 80V
1500
1000
500
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 33A
0
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
5
10 15 20 25 30
Q G , Total Gate Charge [nC]
35
40
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP33N10 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP34N20 | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 |
| FQP3N60C | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 |
| FQP3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 |
| FQP3P50 | MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220 |
| FQP44N10F | MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP33N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP33N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP34N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP34N20L | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP3N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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