参数资料
型号: FQP85N06
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: MOSFET TO-220 Pkg
标准包装: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 85A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 42.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 25V
功率 - 最大: 160W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
V DD
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP85N06 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FQP85N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP85N06TU 制造商:Fairchild 功能描述:60V/85A N-CH MOSFET
FQP8N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQP8N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP8N60C_Q 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube