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参数资料
| 型号： | FQP8N60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1255pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 147W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
150 C
1
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : .0 V
1
o
10
10
25 C
-55 C
0
0
o
o
10
10
10
10
10
-1
-1
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
4
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
3.5
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
3.0
2.5
V GS = 10V
1
10
2.0
0
1.5
V GS = 20V
1.0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μs Pulse Test
10
0.5
0
5
10
15
20
-1
0. 2
0.4
0.6
0.8
1. 0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2000
1800
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
1600
10
V DS = 120V
1400
1200
1000
C iss
C oss
8
6
V DS = 300V
V DS = 480V
800
600
400
200
C rss
※ Notes ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20
Q G , Total Gate Charge [nC]
25
30
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF8N60C Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP8N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8N80C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQP8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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