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参数资料
| 型号： | FQP8N60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1255pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 147W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
1.2
(continue d )
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μA
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 4 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 μ s
8
10
1
10 ms
1 ms
100 μ s
6
100 ms
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
DC
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
4
2
10
10
10
10
10
-2
0
1 2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
3
0
25
50
75 100
T C , Case Temperature [ ℃ ]
125
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
※ N o te s :
1 . Z θ J C (t) = 2 .6 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .0 1
10
-2
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
10
10
10
10
-5
10
-4
-3 -2 -1
t 1 , S q u a r e W a v e P u l s e D u r a t i o n [ s e c ]
0
10
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF8N60C Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252A503A50NB | POT JOYSTICK 50K OHM W/SWITCH |
| 68242-1 | TOOL DIE ASSY 16-14AWG SOLIS |
| 252A104A40TB | POT JOYSTICK 100K OHM W/SWITCH |
| 252B503A40TB | POT JOYSTICK 50K OHM W/SWITCH |
| ASFLMPC-24.576MHZ-T3 | OSC 24.576 MHZ CMOS MEMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP8N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8N80C | 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8N80C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQP8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP8P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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