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参数资料
| 型号： | FQPF17N40 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 4.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 56W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQP 17 N 40 T
Top Mark
FQP 17 N 40 T
Package
TO-220 F
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
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Max.
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V DS = 320 V, I D = 17.2 A,
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Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 19.4 mH, I AS = 9.5 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ 17.2 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s , V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature.
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF17N40 Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述 |
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