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参数资料
| 型号： | FQPF19N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 6.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FQPF19N10
N -Channel QFET ? MOSFET
1 0 0 V, 1 3 .6 A, 1 0 0 m Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET
is produced using Fairchild Semiconductor’s
proprietary planar stripe and DMOS technology. This
advanced MOSFET technology has been especially
tailored to reduce on-state resistance, and to provide
superior switching performance and high avalanche
energy strength. These devices are suitable for
switched mode power supplies, audio amplifier, DC
motor control, and variable switching power
applications.
Features
? 1 3 .6 A, 1 0 0 V, R DS(on) =1 0 0 mΩ(Max.) @V GS =10 V, I D = 6 .8 A
? Low G ate C harge ( Typ. 19 nC)
? Low Crss ( Typ. 3 2 pF)
? 100% A valanche T ested
? 175°C Maximum Junction Temperature Rating
D
D
G
S
TO-220F
G
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQPF19N10
100
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
13.6
9.6
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
54.4
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 25
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
220
13.6
3.8
6.0
38
0.25
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +175
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case , Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient , Max.
FQPF19N10
3.95
62.5
Unit
°C / W
°C / W
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF19N10 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF19N20C | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F |
| FQPF19N20T | MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F |
| FQPF20N06L | MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F |
| FQPF22N30 | MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F |
| FQPF22P10 | MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF19N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF19N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF19N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF19N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF19N20CYDTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Chan Advance QFET 174 C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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