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参数资料
| 型号： | FQPF2N60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 23W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 uA
0.5
? Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
10
10
10
1. T C = 25 C
10
1. T C = 25 C
0
-1
Notes :
o
DC
10 ms
100 ms
0
-1
Notes :
o
DC
10 ms
100 ms
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
o
3. Single Pulse
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
-2
0
1
2
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP2N60C
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF2N60C
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP2N60C / FQPF2N60C Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDD03N60Z-1G | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| UPC3239TB-E3-A | MMIC AMPLIFIER 6 PIN MINIMOLD |
| 0622022900 | TOOL REMOVAL & INSERT RCPT/RAM |
| 0622022025 | TOOL INSERT 40POS 4ROWS L SERIES |
| MAX2066ETL+ | IC VGA PROG DIGITAL 40TQFN-EP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF2N60C_F105 | 制造商:Fairchild 功能描述:600V/2A N-CH MOSFET C-SERIES |
| FQPF2N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF2N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF2N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF2N80YDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 800V TO-220-3 |
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