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参数资料
| 型号： | FQPF5N90 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 51W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FQPF5N90
N-Channel QFET ? MOSFET
900 V, 3 A, 2.3 Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to reduce
on-state resistance, and to provide superior switching
performance and high avalanche energy strength. These
devices are suitable for switched mode power supplies,
active power factor correction (PFC), and electronic lamp
Features
? 3 A, 900 V, R DS(on) = 2.3 ? (Max.) @ V GS = 10 V,
I D = 1.5 A
? Low Gate Charge (Typ. 31 nC)
? Low Crss (Typ. 13 pF)
? 100% Avalanche Tested
? LoHS Compliant
ballasts.
D
D
G
S
TO-220F
G
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQPF5N90
900
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
3.0
1.9
A
A
I DM
V GSS
Drain Current
Gate-Source Voltage
- Pulsed
(Note 1)
12
± 30
A
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate Above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
660
3.0
5.1
4.0
51
0.41
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8" from Case for 5 seconds
-55 to +150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQPF5N90
2.45
62.5
Unit
°C / W
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF5N90 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF5P20 | MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F |
| FQPF65N06 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F |
| FQPF6N80CT | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F |
| FQPF6N90CT | MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F |
| FQPF70N10 | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF5P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF5P20 | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF60N03L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF630 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF65N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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