型号: |
FQPF8N80CYDTU |
厂商: |
Fairchild Semiconductor |
文件页数: |
1/11页 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
产品培训模块: |
High Voltage Switches for Power Processing
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产品变化通告: |
Design/Process Change Notification 26/June/2007
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标准包装: |
50 |
系列: |
QFET™ |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点: |
标准
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漏极至源极电压(Vdss): |
800V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
8A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
1.55 欧姆 @ 4A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大): |
5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs: |
45nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds: |
2050pF @ 25V
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功率 - 最大: |
59W
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安装类型: |
通孔
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封装/外壳: |
TO-220-3 全封装,成形引线
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供应商设备封装: |
TO-220F
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包装: |
管件
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