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参数资料
| 型号： | FQPF8N80CYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.55 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 59W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
!
10
10
150 C
10
25 C
-55 C
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
o
o
10
0
10
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
3.0
2.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2.0
V GS = 20V
0
1.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
1.0
0
4
8
12
16
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2500
2000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
8
1500
C oss
6
1000
500
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20
Q G , Total Gate Charge [nC]
30
40
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N80C / FQPF8N80C / FQPF8N80CYDTU Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF8N80CYDTU_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N90C | 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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