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参数资料
| 型号： | FQPF8N90C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
(Continued)
10
0
D = 0 .5
0 .2
∝ N o te s :
10
- 1
0 .1
0 .0 5
1 . Z ヨ J C (t) = 0 .7 3 ∩ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z ヨ J C (t)
P DM
10
-2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
- 5
10
-4
10
- 3
10
-2
10
- 1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP8N90C
10
0
D = 0 .5
0 .2
∝ N o te s :
10
10
-1
- 2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
s in g le e p u s e
1 . Z ヨ J C (t) = 2 .0 8 ∩ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z ヨ J C (t)
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
- 4
10
- 3
10
-2
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- 1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF8N90C
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J309G | TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 |
| MMZ1005D100C | FERRITE CHIP BEAD 10 OHM 0402 |
| BF256A | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| BF245A | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 |
| 301109000 | SWITCH THUMBWHEEL DEC 10POS BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF8N90CT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQPF8P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF90N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF90N10V2 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Advancd QFET V2 sers RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF95N03L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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