参数资料
型号: FQT5P10TF
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: MOSFET SOT-223 Pkg
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.05 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FQT5P10TFDKR
Typical Characteristics
10
0
Top :
V GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
10
Bottom : -4.5 V
0
10
150 ℃
-1
25 ℃
※ Note :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.5
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
2.0
V GS = - 10V
10
1.5
1.0
V GS = - 20V
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
3
6
9
12
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
500
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
450
400
350
C oss
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = -20V
V DS = -50V
V DS = -80V
300
※ Notes :
1. V GS = 0 V
250
200
150
100
50
0
C rss
2. f = 1 MHz
6
4
2
0
※ Note : I D = -4.5 A
10
10
10
-1
0
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT5P10 Rev. C0
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FQT7N10LTF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
FQT7N10TF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
FQU10N20CTU MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
FQU13N06LTU_WS MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
FQU1N80TU MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
FQT5P10TF-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQT5P10 Series 100 V 1.05 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-223
FQT7N10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
FQT7N10L 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT7N10LTF 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT7N10LTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 100V 1.7A SOT-223