- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19202 > FQU1N60CTU (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 1A IPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FQU1N60CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQU1N60CTU-ND FQU1N60CTUFS |
Mechanical Dimensions
TO-252 3L (DPAK)
Figure 16. TO252 (D-PAK), Molded, 3 Lead, Option AA&AB
Package drawings are provided as a service to customers considering Fairchild components. Drawings may change in any manner
without notice. Please note the revision and/or date on the drawing and contact a Fairchild Semiconductor representative to verify or
obtain the most recent revision. Package specifications do not expand the terms of Fairchild’s worldwide terms and conditions, specif-
ically the warranty therein, which covers Fairchild products.
Always visit Fairchild Semiconductor ’s online packaging area for the most recent package drawings:
http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT252-003
Dimension in Millimeters
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD1N60C / FQU1N60C Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD2955-1G | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK |
| NTLJS2103PTBG | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN |
| NTD2955G | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 1754708-1 | MILLER DUAL-HOLE STRIP TOOL |
| A6E-8101 | SWITCH DIP 8POS TOP FLUSH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU1N60TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU1N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQU1N80TU | 功能描述:MOSFET 800V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU1P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
| FQU1P50TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。