参数资料
型号: FR20BKD2
厂商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分类: 整流器
英文描述: 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-4
文件页数: 1/2页
文件大小: 128K
代理商: FR20BKD2
FR20AAD2 ... FR20GKD2
FR20AAD2 ... FR20GKD2
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities
Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritten
Version 2010-30-31
Dimensions - Mae [mm]
Nominal current
Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-263AB
DPAK
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Polarity / Polaritt
Repet. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspanng.
VRRM [V]
Surge peak reverse volt.
Stospitzensperrspanng.
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
K
(Standard)
A
(Reverse)
IF = 5 A
IF = 20 A
FR20AKD2
FR20AAD2
50
< 0.84
< 0.96
FR20BKD2
FR20BAD2
100
< 0.84
< 0.96
FR20DKD2
FR20DAD2
200
< 0.84
< 0.96
FR20GKD2
FR20GAD2
400
< 0.84
< 0.96
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
20 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
80 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
375/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
-50...+150°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Tj = 25°C
2
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehuses TC = 100°C
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
0.4
4.5
0.2
±
1.2
5.08
0.8
1.3
10.25 -0.1
1
Type
Typ
3
2
4
1 2 3
4
1 2 3
4
A
K
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