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参数资料
| 型号： | FSAM30SM60A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM32AA |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FSAM30SM60A_NL FSAM30SM60A_NL-ND |
These values depend on PWM control algorithm
15 V
One-Leg Diagram of
R BS
D BS
Motion SPM ? 2 Product
P
0.1
μ F
Vcc
VB
22
μ F
IN HO
COM VS
Inverter
470
μ F
0.1
μ F
Vcc
IN
OUT
Output
COM
N
Figure 13. Recommended Bootstrap Operation Circuit and Parameters
3rd Notes:
4. It would be recommended that the bootstrap diode, D BS , has soft and fast recovery characteristics.
5. The ceramic capacitor placed between V CC - COM should be over 0.1 ? F and mounted as close to the pins of the Motion SPM ? 2 product as possible.
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FSAM30SM60A Rev. C8
12
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSAM50SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSAM75SM60A | IC SMART PWR MODULE SPM32-CA |
| FSB32560 | MODULE SPM 600V 25A 27SPMBA |
| FSB50250S | IC SMART POWER MOD 2A SPM23-BA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSAM30SM60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM50SM60A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSAM75SM60A | 功能描述:IGBT 模块 600V -75A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSAM75SM60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/75A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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