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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
Detailed Package Outline Drawings
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?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60C Rev. C3
14
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CTSL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FSBB20CH60F | 功能描述:IGBT 模块 HIGH VOLTAGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60F | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMART POWER MODULE ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMART POWER MODULE, 3-PH, 600V, 20A PCB MOUNT |
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