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参数资料
型号： FSBB20CH60C
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 9/15页
文件大小： 0K
描述： MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC
标准包装： 10
系列： SPM™
类型： IGBT
配置： 3 相
电流： 20A
电压： 600V
电压 - 隔离： 2500Vrms
封装/外壳： SPM27CC
产品目录页面： 1223 (CN2011-ZH PDF)
配用： FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60
Mechanical Characteristics and Ratings
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Mounting Torque
Device Flatness
Weight
Mounting Screw: M3
Recommended 0.62 N?m
See Figure 7
0.51
0
-
0.62
-
15.00
0.80
+150
-
N?m
? m
g
(+)
(+)
Figure 7. Flatness Measurement Position
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60C Rev. C3
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
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FSBF10CH60B MODULE SPM 600V 10A 3PH SPM27-JA
相关代理商/技术参数
参数描述
FSBB20CH60CL 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60CT 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60CTSL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FSBB20CH60F 功能描述:IGBT 模块 HIGH VOLTAGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMART POWER MODULE ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMART POWER MODULE, 3-PH, 600V, 20A PCB MOUNT
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