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参数资料
| 型号： | FSDL321 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8DIP |
| 产品变化通告： | Passivation Layer Change 07/Dec/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 频率范围： | 45kHz ~ 55kHz |
| 输入电压： | 8 V ~ 20 V |
| 输出电压： | 650V |
| 功率（瓦特）： | 17W |
| 工作温度： | 25°C ~ 140°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 其它名称： | FSDL321_NL FSDL321_NL-ND |
FSDH321, FSDL321
Electrical Characteristics (Sense FET Part)
(Ta = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Sense FET SECTION
Zero Gate Voltage Drain Current
Static Drain-Source on Resistance
(Note)
Forward Trans conductance (Note)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn on Delay Time
Rise Time
Turn Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
(Gate-Source + Gate-Drain)
Gate-Source Charge
Gate-Drain (Miller) Charge
I DSS
R DS(ON)
gfs
C ISS
C OSS
C RSS
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
V DS =Max. Rating,
V GS =0V
V DS =0.8Max. Rating,
V GS =0V, T C =125 ° C
V GS =10V, I D =0.5A
V DS =50V, I D =0.5A
V GS =0V, V DS =25V,
f=1MHz
V DD =0.5B V DSS ,
I D =1.0A
(MOSFET switching time
is essentially
independent of
operating temperature)
V GS =10V, I D =1.0A,
V DS =0.5B V DSS
(MOSFET switching time
is essentially
independent of operating
temperature)
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
1.3
162
18
3.8
9.5
19
33
42
7.0
3.1
0.4
25
200
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
μ A
μ A
?
S
pF
ns
nC
Note:
1. Pulse test: Pulse width ≤ 300 μ S, duty ≤ 2%
2.
S = --- 1 -
R
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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