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参数资料
| 型号： | FSEZ1016AMY |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWM PRIMARY REG MOSFET 7-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | EZSWITCH™ EZ™ |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 频率范围： | 40kHz ~ 46kHz |
| 输入电压： | 5.5 V ~ 25 V |
| 功率（瓦特）： | 660mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）7 引线 |
| 供应商设备封装： | 7-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FSEZ1016AMYDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
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Temperature (oC)
Figure 18. Output Sink Current (I V-SINK )
vs. Temperature
Temperature (oC)
Figure 19. Output Source Current (I V-SOURCE )
vs. Temperature
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Temperature (oC)
Figure 20. Output Sink Current (I I-SINK )
vs. Temperature
Temperature (oC)
Figure 21. Output Source Current (I I-SOURCE )
vs. Temperature
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Temperature (oC)
Figure 22. Drain-Source Breakdown Voltage (BV DSS )
vs. Temperature
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FSEZ1016A ? Rev. 1.0.3
9
Temperature (oC)
Figure 23. Maximum Duty Cycle (DCY MAX )
vs. Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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