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参数资料
| 型号： | FSEZ1307MY |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWM CTLR PRIMARY REG 7-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 频率范围： | 47kHz ~ 53kHz |
| 输入电压： | 5.5 V ~ 30 V |
| 输出电压： | 700V |
| 功率（瓦特）： | 660mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）7 引线 |
| 供应商设备封装： | 7-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics (Continued)
Unless otherwise specified, V DD =15 V and T A =25 ℃ .
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Internal MOSFET Section
DCY MAX
BV DSS
Maximum Duty Cycle
Drain-Source Breakdown Voltage
I D =250 μ A,
V GS =0 V
70
700
75
80
%
V
I D =250 μ A,
? BV DSS / ? T J Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Referenced to
0.53
V/°C
T A =25°C
R DS(ON)
I S
I DSS
t D-ON
Static Drain-Source On-Resistance
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward
Current
Drain-Source Leakage Current
Turn-On Delay Time
I D =0.5 A,
V GS =10 V
V DS =700 V,
T A =25°C
V DS =560 V,
T A =100°C
V DS =350 V,
17
10
20
0.5
10
100
30
Ω
A
μA
μA
ns
I D =1 A,
t D-OFF
Turn-Off Delay Time
R G =25 Ω (4)
20
50
ns
V GS =0 V,
C ISS
Input Capacitance
V DS =25 V,
125
150
pF
f S =1 MHz
C OSS
Output Capacitance
15
18
pF
Over-Temperature-Protection Section
T OTP
Threshold Temperature for OTP (5)
140
°C
Notes:
3.
4.
5.
These parameters, although guaranteed, are not 100% tested in production.
Pulse test: pulsewidth ≦ 300 μs, duty cycle ≦ 2%.
When the Over-temperature protection is activated, the power system enter latch mode and output is disabled.
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FSEZ1307 ? Rev. 1.0.3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FSEZ1317MY | 功能描述:初级与次级侧 PWM 控制器 EZSWITCH PSR PWM Cont. w/ Int. MOSFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 输出端数量:1 开关频率:250 KHz 工作电源电压:- 0.3 V to + 28 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 5 C 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow 封装:Reel |
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