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参数资料
型号： G2119
厂商： Hamamatsu Photonics
英文描述： GaAsP photodiode
中文描述： 镓砷磷光电二极管
文件页数： 2/4页
文件大小： 170K
代理商： G2119
GaAsP photodiode
G1126-02, G1127-02, G2119
LOAD RESISTANCE (
)
(Typ. Ta=25 C, VR=0 V)
RISE
TIME
10
3
10
4
10
2
100
ns
1
s
10
ms
1
ms
100
s
10
s
10
5
10
6
G1127-02
G2119
G1126-02
REVERSE VOLTAGE (V)
(Typ. Ta=25 C)
DARK
CURRENT
0.01
0.1
0.001
100
fA
1
pA
1
nA
100
pA
10
pA
110
G2119
G1127-02
G1126-02
0
0.1
0.05
0.15
0.2
0.25
0.3
190
400
600
WAVELENGTH (nm)
PHOTO
SENSITIVITY
(A/W)
800
(Typ. Ta=25 C)
-0.5
0
+0.5
+1.0
+1.5
190
400
600
WAVELENGTH (nm)
TEMPERATURE
COEFFICIENT
(%/
C)
800
(Typ.)
s
Spectral response
KGPDB0034EA
s
Photo sensitivity temperature characteristic
KGPDB0035EA
s
Rise time vs. load resistance
KGPDB0036EA
s
Dark current vs. reverse voltage
KGPDB0037EA
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