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参数资料
| 型号： | GA150NS60U |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | GA150NS60U |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GA4F4N | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| GAM-1003-6UY | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, ULTRA YELLOW, 4.5 mm |
| GAP | MALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, SOLDER |
| GB05XP120KT | 12 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| GB082AHGBBNDB-V01 | CAP,RADIAL 470UF,100V 16mm x 25mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GA150TD120K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Short Circuit Rated Ultra-Fast tm Speed IGBT |
| GA150TD120U | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE IGBT DOUBLE INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT |
| GA150TD12U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| GA150TS60U | 制造商:ICS 制造商全称:ICS 功能描述:HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT |
| GA152-10-12 | 功能描述:高频/射频继电器 Ultramin High Repeat SMT DC-5GHz RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:2 Form C (DPDT-BM) 触点电流额定值: 线圈电压:5 VDC 线圈类型:Non-Latching 频率: 功耗:100 mW 端接类型:Solder Terminal 绝缘:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入损耗:0.2 dB at 1 GHz |
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