| 型号: | GB10RF120K |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 2/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | GB10RF120K |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GB10RF60K | 功能描述:IGBT 模块 20 Amp 600 Volt Non-Punch Through RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| GB10SLT06-214 | 制造商:GENESIC SEMICONDUCTOR 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A |
| GB10SLT12-214 | 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:* 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 基本零件编号:GB10SLT12 标准包装:1 |
| GB10SLT12-220 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| GB10SLT12-247 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1200V 10A SiC Schottky Rectifier RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |