参数资料
型号: GBJ2010-F
厂商: DIODES INC
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
中文描述: 20 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ, 4 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 73K
代理商: GBJ2010-F
DS21220 Rev. 8 - 2
2 of 3
GBJ20005-GBJ2010
www.diodes.com
0.01
0.1
1.0
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig.2 Typical Forward Characteristics (per element)
F
I
,
INST
ANT
A
NEOUS
FOR
W
A
RD
CURRENT
(A)
F
100
T= 25°C
j
100
50
1
10
100
I
,
PEAK
FOR
W
A
RD
SURGE
CURRENT
(A)
FSM
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current
150
250
0
200
Single half-sine-wave
T= 25°C
j
10
100
1
10
100
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig.4 Typical Total Capacitance, Per Element
R
f=1MHz
T= 25°C
j
0.1
1.0
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig.5 Typical Reverse Characteristics
T= 50°C
j
T = 125°C
j
T = 100°C
j
T= 25°C
j
0
5
25
50
75
100
125
150
I
,
A
VERAGE
RECTIFIED
CURRENT
(A)
O
T , CASE TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
C
10
15
20
25
Without heatsink
With heatsink
Resistive or
Inductive load
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PDF描述
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