参数资料
型号: GBJ808
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 桥式整流
英文描述: 2.9 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, GBJ, 4 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 93K
代理商: GBJ808
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
GBJ804 thru GBJ810
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
0
20
40
60
80
180
160
140
120
100
Single Half-Sine-Wave
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
40
60
80
100
4.0
1.0
20
2.0
6.0
140
CASE TEMPERATURE , C
5.0
3.0
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
120
WITHOUT HEATSINK
WITH HEATSINK
8.0
7.0
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
10.0
100
10
1.0
100
4.0
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
TJ = 25 C, f = 1MHz
FIG.5 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
u
A
)
20
40
0
1.0
10
100
60
80
100
0.1
1000
TJ = 25 C
TJ = 50 C
TJ = 125 C
TJ = 100 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
TJ = 25 C
PULSE WIDTH 300us
TJ = 125 C
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GBJ810 功能描述:桥式整流器 1000V 8A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
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