参数资料
型号: GDZ8.2BD5
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: PLASTIC, SOD-323, 2 PIN
文件页数: 1/2页
文件大小: 73K
代理商: GDZ8.2BD5
相关PDF资料
PDF描述
GE28F008B3BA70 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PBGA46
GE28F128W18BC60 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56
GF-61-APC/90-L BOARD TERMINATED, FEMALE, RF CONNECTOR, SOLDER
GF-61-APC/90L BOARD TERMINATED, FEMALE, RF CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
GF-61-APC-S BOARD TERMINATED, FEMALE, RF CONNECTOR, SOLDER
相关代理商/技术参数
参数描述
GDZ8V2BLP3-7 功能描述:MOSFET Tight Tolerance Zene X3-DFN0603-2 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
GDZ8V2B-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
GDZ8V2B-V-G 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
GDZ8V2B-V-GS08 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.2 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
GDZ8V2B-V-GS18 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 0.2 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel