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参数资料
| 型号： | GLT5160L16-10FJ |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1,600（2 -银行甲524288字× 16位）同步DRAM |
| 文件页数： | 17/45页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | GLT5160L16-10FJ |
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17
G-LINK Technology
DEC. 2003 (Rev.2.4)
[Write Interrupted by Precharge]
Burst write operation can be interrupted by precharge of the same
bank. Random column access is allowed. Because the write recov-
ery time (t
RDL
) is required between the last input data and the next
PRE, 3rd data should be masked with DQMU / DQML shown as
below.
[Write Interrupted by Burst Terminate]
Burst terminate command can terminate burst write operation. In
this case, the write recovery time is not required and the bank
remains active. The figure below shows the case 3 words of data are
written. Random column access is allowed. WRITE to TBST inter-
val is minimum 1 CLK.
CLK
Command
DQ
Figure 15. WRITE Interrupted by Precharge (BL=4)
A[9:0]
A[10]
BA
DQMU,
This data should be masked to satisfy t
RDL
requirement.
0
0
Di0
Ya
Xb
WRITE
PRE
ACT
0
Xb
0
0
Di1
CLK
Command
DQ
Figure 16. WRITE Interrupted by Burst Terminate (BL=4)
A[9:0]
A[10]
BA
DQMU,
Da0
Ya
WRITE
TBST
Da1
0
0
Da2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| GLT5160L16-10TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16-6FJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16-6TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16-7FJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16-7TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
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