- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383008 > GLT5160L16P-8FJ (Electronic Theatre Controls, Inc.) 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GLT5160L16P-8FJ |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1,600（2 -银行甲524288字× 16位）同步DRAM |
| 文件页数： | 12/45页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | GLT5160L16P-8FJ |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页
12
G-LINK Technology
DEC. 2003 (Rev. 2.4)
Write
After t
RCD
from the bank activation, a WRITE command can be
issued. 1st input data is set at the same cycle as the WRITE. Follow-
ing (BL-1) data are written into the RAM, when the Burst Length is
BL. The start address is specified by A[7:0], and the address
sequence of burst data is defined by the Burst Type. A WRITE com-
mand may be applied to any active bank, so the row precharge time
(t
RP
) can be hidden behind continuous input data (in case of BL = 4)
by interleaving the dual banks. From the last input data to the PRE
command, the write recovery time (t
RDL
) is required. When A[10]
is high at a WRITE command, the auto-precharge (WRITEA) is
performed. Any command (READ, WRITE, PRE, ACT) to the
same bank is inhibited till the internal precharge is complete. The
internal precharge begins at t
WR
after the last input data cycle. The
next ACT command can be issued after t
RP
from the internal pre-
charge timing.
CLK
Figure 7. Dual Bank Interleaving WRITE (BL=4)
Command
A[9:0]
A[10]
BA
DQ
t
RCD
t
RCD
Burst Length
Da1
t
RDL
(1
0
Da2
Da0
Da3
ACT
WRITE
ACT
PRE
WRITE
Xa
Y
Xb
Y
Xa
0
Xb
0
0
0
1
0
1
Db1
Db0
Db3
Db2
CLK
Figure 8. WRITE with Auto-Precharge (BL=4)
Command
A[9:0]
A[10]
BA
Internal Precharge Begins
DQ
t
RCD
t
RP
t
RDL
Da2
Da1
Da0
Da3
ACT
WRITE
ACT
Xa
Y
Xa
Xa
1
Xa
0
0
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5160L16P-8TC | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16 | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5160L16-10FJ | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT5640AL16 | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640AL16-10TC | 4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GLT5160L16P-8TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| GLT52 | 功能描述:线性和开关式电源 50W Three channel 5V/12V/-12V RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:20 V 输出电流（通道 1）:40 A 商用/医用: 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度: |
| GLT52-M | 功能描述:线性和开关式电源 50W Three channel 5V/12V/-12V Medical RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:20 V 输出电流（通道 1）:40 A 商用/医用: 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度: |
| GLT53 | 功能描述:线性和开关式电源 50W Three channel 5V/15V/-15V RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:20 V 输出电流（通道 1）:40 A 商用/医用: 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度: |
| GLT53-M | 功能描述:线性和开关式电源 50W Three channel 5V/15V/-15V Medical RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 产品:Switching Supplies 开放式框架/封闭式:Enclosed 输出功率额定值:800 W 输入电压:85 VAC to 265 VAC 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:20 V 输出电流（通道 1）:40 A 商用/医用: 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:Rack 长度: 宽度: 高度: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。