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参数资料
| 型号： | GLT5160L16P-8FJ |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1,600（2 -银行甲524288字× 16位）同步DRAM |
| 文件页数： | 13/45页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | GLT5160L16P-8FJ |
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13
G-LINK Technology
DEC. 2003 (Rev.2.4)
Burst Interruption
[Read Interrupted by Read]
The burst read operation can be interrupted by a new read of the
same or the other bank. GLT5160L16 allows random column
access. READ to READ interval is 1 CLK minimum.
[Read Interrupted by Write]
Burst read operation can be interrupted by write of the same or the
other bank. Random column access is allowed. In this case, the DQ
should be controlled adequately by using the DQMU / DQML to
prevent the bus contention. The output is disabled automatically 2
cycles after WRITE assertion.
CLK
Figure 9. READ Interrupted by READ (BL=4, CL=3)
Command
A[9:0]
A[10]
BA
Internal Precharge Start Timing
DQ
0
Qj1
Qj0
Qi0
Qk0
REA
READ
READ
Qk2
Qk1
Ql1
Ql0
REA
Yi
Yk
Yl
Yj
0
0
0
0
0
1
0
Ql2
Ql3
CLK
Command
A[9:0]
A[10]
BA
DQMU,
Figure 10. READ Interrupted by WRITE (BL=4, CL=3)
Q
D
Dj0
Qi0
Dj1
REA
Dj3
Dj2
WRITE
Yi
Yj
0
0
0
0
DQM U/ DQML control
Write control
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5160L16P-8TC | 16M (2-Bank x 524288-Word x 16-Bit) Synchronous DRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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