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参数资料
| 型号： | GLT5640AL16P-7TC |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SHRINK TUBING D=12 |
| 中文描述： | 4米× 16个CMOS同步动态随机存储器 |
| 文件页数： | 17/72页 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-7TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
- 17 -
5.1 Burst Length and Sequence
(Burst of Two)
Starting Address
(column address A0, binary)
(decimal)
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
Interleave Addressing Sequence
0
1
0, 1
1, 0
0, 1
1, 0
(Burst of Four)
Starting Address
(column address A1 - A0, binary)
00
01
10
11
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
0, 1, 2, 3
1, 2, 3, 0
2, 3, 0, 1
3, 0, 1, 2
Interleave Addressing Sequence
(decimal)
0, 1, 2, 3
1, 0, 3, 2
2, 3, 0, 1
3, 2, 1, 0
(Burst of Eight)
Starting Address
(column address A2 - A0, binary)
(decimal)
000
001
010
011
100
101
110
111
Full page burst is an extension of the above tables of sequential addressing, with the length being 256 for 4Mx16.
Sequential Addressing Sequence
(decimal)
Interleave Addressing Sequence
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0
2, 3, 4, 5, 6, 7, 0, 1
3, 4, 5, 6, 7, 0, 1 ,2
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 6 ,7, 0, 1, 2, 3, 4
6, 7 ,0 ,1 ,2 ,3 ,4 ,5
7, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7, 6
2, 3, 0, 1, 6, 7, 4, 5
3, 2, 1, 0, 7, 6, 5, 4
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 4, 7, 6, 1, 0, 3, 2
6, 7, 4, 5, 2, 3, 0, 1
7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-8TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640L32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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