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参数资料
| 型号： | GLT5640AL16P-7TC |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SHRINK TUBING D=12 |
| 中文描述： | 4米× 16个CMOS同步动态随机存储器 |
| 文件页数： | 18/72页 |
| 文件大小： | 2315K |
| 代理商： | GLT5640AL16P-7TC |
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G-LINK
GLT5640AL16
4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM
Feb 2004 (Rev.0.1)
G-Link Technology Corporation, Taiwan
Web : www.glink.com.tw Email : sales@glink.com.tw
TEL : 886-2-27968078
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6.Address Bits of Bank-Select and Precharge
Row
(Activate command)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
Row
(Precharge command)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
Row
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
BA1
BA0
BA1
BA0
Result
0
0
Select Bank A
“Activate “ command
Select Bank B
“Activate” command
Select Bank C
“Activate” command
Select Bank D
“Activate” command
0
1
1
0
1
1
A10
0
0
0
0
1
BA1
0
0
1
1
X
BA0
0
1
0
1
X
Result
Precharge Bank A
Precharge Bank B
Precharge Bank C
Precharge Bank D
Precharge All Banks
X : Don’t care
BA1
BA0
Result
0
0
Enables Read/Write
commands for Bank A
Enables Read/Write
commands for Bank B
Enables Read/Write
commands for Bank C
Enables Read/Write
commands for Bank D
0
1
1
0
1
1
0
1
Disables Auto-Precharge (End of Burst)
Enables Auto - Precharge (End of Burst)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-8TC | INSULATION SLEEVING, 1/4" ID, PER MIL-I-23053 |
| GLT5640L32 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GLT5640AL16P-8TC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4M X 16 CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| GLT5640L32 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
| GLT5640L32-5.5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:CMOS Synchronous DRAM 2M x 32 SDRAM |
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