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参数资料
| 型号： | GMBT8550 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | GMBT8550 |
1/2
G
G M
M B
B T
T 88555500
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A LL T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBT8550 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
Collector to Base Voltage
VCBO
-25
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-20
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-700
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-25
-
V
IC=-10uA
BVCEO
-20
-
V
IC=-1mA
BVEBO
-5
-
V
IE=-10uA
ICBO
-
-1
uA
VCB=-20V
IEBO
-
-100
nA
VEB=-6V
VCE(sat)
-
-500
mV
IC=-500mA, IB=-50mA
VBE(on)
-
-1
V
VCE=-1V, IC=-150mA
hFE
100
-
500
VCE=-1V, IC=-150mA
fT
150
-
MHz
VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz
Cob
-
10
pF
VCB=-10V, f=1MHz
Classification Of hFE
Rank
B9C
B9D
B9E
hFE
100 - 200
150 - 300
250 - 500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GMBT9013 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT9014 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GMBT9015 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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