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参数资料
| 型号： | GMBTA05 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | GMBTA05 |
1/2
G
G M
M B
B T
TA
A0055
N
N P
P N
N S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GMBTA05 is Amplifier Transistor.
Package Dimensions
Millimeter
REF
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.40
2.80
H
1.00
1.30
C
1.40
1.60
K
0.10
0.20
D
0.35
0.50
J
0.40
-
E
0
0.10
L
0.85
1.15
F
0.45
0.55
M
0 C
10 C
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
60
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
4
V
Collector Current
IC
500
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Characteristics at Ta = 25 ::::
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
60
-
V
IC=100uA
BVCEO
60
-
V
IC=1mA
BVEBO
4
-
V
IE=100uA
ICBO
-
100
nA
VCB=60V
ICEO
-
100
nA
VCE=60V
*VCE(sat)
-
250
mV
IC=100mA, IB=10mA
VBE(sat)
-
1.2
V
IC=100mA, VCE=1V
*hFE1
50
-
VCE=1V, IC=10mA
*hFE2
50
-
VCE=1V, IC=100mA
fT
100
-
MHz
VCE=2V, IC=10mA, f=100MHz
*Pulse Test:Pulse width 380us,Duty Cycle 2%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMBTA13 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA14 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA44 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBTA56 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA64 | PNP SILICON TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GMBTA06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA13 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA14 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| GMBTA42 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GMBTA44 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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