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参数资料
| 型号： | GS8150E32 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（512K x 32位）同步静态RAM（带2位脉冲地址计数器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（为512k × 32位）同步突发静态存储器（1,600位（512k × 32的位）同步静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 6/26页 |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | GS8150E32 |
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8150E18/32/36T-225/200/180/166/150/133
GS8150E18/32/36 Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
E
2
E
3
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx0–DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
0
B
B
B
C
B
D
FT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS8150V18AB-250 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V18AB-250I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V18AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300 - Trays |
| GS8150V18AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300I - Trays |
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