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参数资料
| 型号： | GS815218 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可选单/双循环取消同步静态RAM（带2位脉冲地址计数器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100万x 18位）的S /双氰胺突发静态存储器（1,600位（100万× 18位），可选单/双循环取消同步静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 12/38页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | GS815218 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
12/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW) control inputs, and
that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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