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参数资料
| 型号： | GS815218 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可选单/双循环取消同步静态RAM（带2位脉冲地址计数器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100万x 18位）的S /双氰胺突发静态存储器（1,600位（100万× 18位），可选单/双循环取消同步静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 2/38页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | GS815218 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
2/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS815272 Pad Out
209 Bump BGA
—
Top View
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A
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W
DQD5
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TMS
TDI
A3
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TDO
TCK
DQE1
DQE5
Rev 9.7
11 x 19 Bump BGA
—
14 x 22 mm
2
Body
—
1 mm Bump Pitch
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS815V018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays |
| GS815V018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays |
| GS815V018AB-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays |
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