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参数资料
| 型号： | GS815236 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可选单/双循环取消同步静态RAM（带2位脉冲地址计数器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（为512k × 36Bit）的S /双氰胺同步突发静态存储器（1,600位（为512k × 36位）可选单/双循环取消同步静态随机存储器（带2位脉冲地址计数器）） |
| 文件页数： | 10/38页 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | GS815236 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
Byte Write Truth Table
Notes:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
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PDF描述 |
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参数描述 |
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