参数资料
型号: GS815236
厂商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 16Mb(512K x 36Bit)S/DCD Sync Burst SRAM(16M位(512K x 36位)可选单/双循环取消同步静态RAM(带2位脉冲地址计数器))
中文描述: 16Mb的(为512k × 36Bit)的S /双氰胺同步突发静态存储器(1,600位(为512k × 36位)可选单/双循环取消同步静态随机存储器(带2位脉冲地址计数器))
文件页数: 5/38页
文件大小: 824K
代理商: GS815236
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS815236 Pad Out
119 Bump BGA
Top View
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
7
ADSP
A
8
A
9
V
DDQ
B
NC
A
18
A
4
ADSC
A
15
A
17
NC
C
NC
A
5
A
3
V
DD
A
14
A
16
NC
D
DQ
C4
DQ
C9
V
SS
ZQ
V
SS
DQ
B9
DQ
B4
E
DQ
C3
DQ
C8
V
SS
E
1
V
SS
DQ
B8
DQ
B3
F
V
DDQ
DQ
C7
V
SS
G
V
SS
DQ
B7
V
DDQ
G
DQ
C2
D
Q
C6
B
C
ADV
B
B
DQ
B6
DQ
B2
H
DQ
C1
DQ
C5
V
SS
GW
V
SS
DQ
B5
DQ
B1
J
V
DDQ
V
DD
DP
V
DD
QE
V
DD
V
DDQ
K
DQ
D1
DQ
D5
V
SS
CK
V
SS
DQ
A5
DQ
A1
L
DQ
D2
DQ
D6
B
D
SCD
B
A
DQ
A6
DQ
A2
M
V
DDQ
DQ
D7
V
SS
BW
V
SS
DQ
A7
V
DDQ
N
DQ
D3
DQ
D8
V
SS
A
1
V
SS
DQ
A8
DQ
A3
P
DQ
D4
DQ
D9
V
SS
A
0
V
SS
DQ
A9
DQ
A4
R
NC
A
2
LBO
V
DD
FT
A
13
PE
T
NC
NC
A
10
A
11
A
12
NC
ZZ
U
V
DDQ
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
V
DDQ
相关PDF资料
PDF描述
GS815272 16Mb(256K x 72Bit)S/DCD Sync Burst SRAM(16M位(256K x 72位)可选单/双循环取消同步静态RAM(带2位脉冲地址计数器))
GS8152Z18 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM)
GS8152Z36 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM)
GS8152Z72 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水线式和流通型同步NBT静态RAM)
GS816018 16Mb(1M x 18Bit)Sync Burst SRAM(16M位(1M x 18位)同步静态RAM(带2位脉冲地址计数器))
相关代理商/技术参数
参数描述
GS815V018AB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays
GS815V018AB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays
GS815V018AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays
GS815V018AB-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays
GS815V018AB-333 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays