参数资料
型号: GS815272
厂商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 16Mb(256K x 72Bit)S/DCD Sync Burst SRAM(16M位(256K x 72位)可选单/双循环取消同步静态RAM(带2位脉冲地址计数器))
中文描述: 16Mb的(256 × 72Bit)的S /双氰胺同步突发静态存储器(1,600位(256 × 72位)可选单/双循环取消同步静态随机存储器(带2位脉冲地址计数器))
文件页数: 2/38页
文件大小: 824K
代理商: GS815272
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
2/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
GS815272 Pad Out
209 Bump BGA
Top View
1
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3
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5
6
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A
DQG5
DQG1
A15
E2
ADSP
ADSC
ADV
E3
A17
DQB1
DQB5
B
DQG6
DQG2
BC
BG
NC
BW
A16
BB
BF
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DQB6
C
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NC
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NC
BE
BA
DQB3
DQB7
D
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V
SS
NC
NC
G
GW
NC
V
SS
DQB4
DQB8
E
DQG9
DQC9
V
DDQ
V
DDQ
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DD
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DD
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DD
V
DDQ
V
DDQ
DQF9
DQB9
F
DQC4
DQC8
V
SS
V
SS
V
SS
ZQ
V
SS
V
SS
V
SS
DQF8
DQF4
G
DQC3
DQC7
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCH
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
DQF7
DQF3
H
DQC2
DQC6
V
SS
V
SS
V
SS
MCL
V
SS
V
SS
V
SS
DQF6
DQF2
J
DQC1
DQC5
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCL
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
DQF5
DQF1
K
NC
NC
CK
NC
V
SS
MCL
V
SS
NC
DP
NC
QE
L
DQH1
DQH5
V
DDQ
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DDQ
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FT
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DD
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DDQ
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DQA5
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M
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MCL
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N
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DDQ
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DD
SCD
V
DD
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DQA7
DQA3
P
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SS
V
SS
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ZZ
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DQA8
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R
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V
DDQ
V
DDQ
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DD
V
DD
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DD
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DDQ
V
DDQ
DQA9
DQE9
T
DQD8
DQD4
V
SS
NC
NC
LBO
PE
NC
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SS
DQE4
DQE8
U
DQD7
DQD3
NC
A14
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A12
A11
A10
NC
DQE3
DQE7
V
DQD6
DQD2
A9
A8
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A1
A6
A5
A4
DQE2
DQE6
W
DQD5
DQD1
TMS
TDI
A3
A0
A2
TDO
TCK
DQE1
DQE5
Rev 9.7
11 x 19 Bump BGA
14 x 22 mm
2
Body
1 mm Bump Pitch
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