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参数资料
| 型号： | GS816036T-225 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 18/28页 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | GS816036T-225 |
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Rev: 2.12 3/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
18/28
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–
An
B
A
–
B
D
DQ
A
–
DQ
D
Write
Deselected
Hi-Z
E
1
E
3
tS tH
tS tH
tS tH
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
E
2
Deselected with E
2
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