- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383030 > GS8161E36D-200I (Electronic Theatre Controls, Inc.) 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | GS8161E36D-200I |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突发静态存储器 |
| 文件页数： | 6/36页 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | GS8161E36D-200I |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
6/36
1998, GSI Technology
165 Bump BGA—x32 Common I/O—Top View (Package D)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
A
E1
BC
BB
E3
CKE
ADV
A
A
NC
A
B
NC
A
E2
BD
BA
CK
W
G
A
A
NC
B
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
NC
C
D
DQC
DQC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQB
DQB
D
E
DQC
DQC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQB
DQB
E
F
DQC
DQC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQB
DQB
F
G
DQC
DQC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQB
DQB
G
H
FT
MCH
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
ZZ
H
J
DQD
DQD
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQA
DQA
J
K
DQD
DQD
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQA
DQA
K
L
DQD
DQD
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQA
DQA
L
M
DQD
DQD
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
DQA
DQA
M
N
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
N
P
NC
NC
A
A
TDI
A1
TDO
A
A
A
NC
P
R
LBO
NC
A
A
TMS
A0
TCK
A
A
A
A
R
11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E36D-225 | 25-Bit Configurable Registered Buffer With Address-Parity Test 96-LFBGA 0 to 70 |
| GS8161Z18D-250I | 14-Bit Registered Buffer With SSTL_2 Inputs and Outputs 48-TVSOP 0 to 70 |
| GS8161Z18D-250IT | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18D-250T | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-133 | 13-Bit to 26-Bit Registered Buffer with SSTL_2 Inputs and Outputs 56-VQFN 0 to 70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS8161E36D-225 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36D-225I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36D-250 | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36D-250I | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36DD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。