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参数资料
| 型号： | GS84018AB-190 |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | FPBGA-119 |
| 文件页数： | 10/31页 |
| 文件大小： | 1248K |
| 代理商： | GS84018AB-190 |
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Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
GS84018/32/36AT/B-190/180/166/150/100
Rev: 1.18 3/2007
18/31
1999, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
= 2.5 V)
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