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参数资料
| 型号： | GS864218B-250V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 21/35页 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864218B-250V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
21/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
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