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参数资料
| 型号： | GS864218B-250V |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件页数： | 8/35页 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | GS864218B-250V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
8/35
2004, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
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2
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ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
B
B
B
C
B
D
FT
GS864218/36/72-xxxV Block Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GS864218GB-167V | 制造商:GSI 制造商全称:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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